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光刻机的技术原理：电子束光刻。电子束曝光技术是迄今为止分辨率高的一种曝光手段。电子束光刻的优点是（1）分辨率高；（2）不需要掩膜；（3）不受像场尺寸限制；（4）真空内曝光，无污染；（5）由计算机控制，自动化程度高。目前已研制出多种电子束纳米曝光技术，如扫描透射电子显微镜（STEM）、扫描隧道显微镜（STM）、圆形束、成形束、投影曝光、微电子光柱等。其中STM的空间分辨率高，横向可达0.1nm，纵向优于0.01nm，但由于电子束入射光刻胶和衬底后会产生散射，上海X光光刻机报价，因而限制了实际的分辨率（即邻近效应）。目前电子束曝光技术中的主导加工技术为圆形电子束和成形电子束曝光，成形电子束目前小分辨率一般大于100nm，圆形电子束的高分辨率可达几个纳米。电子束光刻采用直接写的技术，在掩膜版的制备过程中占主要地位。但也正是因为电子束采用直接写的技术，因此曝光的速度很慢，不实用于大硅片的生产，上海X光光刻机报价，此外电子束轰击衬底也会产生缺陷，上海X光光刻机报价。光刻机的曝光：掩膜板1：1，全尺寸；步进重复投影曝光。上海X光光刻机报价
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。分辨率是对光刻工艺加工可以达到的较细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。上海X光光刻机报价光刻机的曝光：90年代末～至今，用于≤0.18μm工艺。
光刻机的技术原理：接触/接近式光刻。接触/接近式光刻是发展早，也是常见的曝光方式。它采用1：1方式复印掩膜版上的图形，这类光刻机结构简单，价格便宜，发展也较成熟，缺点是分辨率不高，通常高可达1um左右。此外由于掩膜版直接和光刻胶接触，会造成掩膜版的沾污。接触%接近式光刻机的分辨率由下式决定：式中：λ为曝光的波长，FT为光刻胶的厚度，G为曝光时的接近距离。目前常用的光源为汞%氙灯所产生的紫外光，常用的三个波段为436nm（g线）、405nm（h线）和365nm（i线）。看出这三个波段的强度高，且紫外光成本低，比较容易获得，是接触/接近式光刻的主要光源。
激光全息光刻机的发展变化：随着时代的进步，集成电路科技的进步与发展，对光刻工艺的精度提出了更高的要求。传统的光刻工艺难以满足如此的精度要求。光刻机性能的提高势在必行。传统光刻机的投影物镜多采用全折射式设计方案，即物镜全部由旋转对准装校的透射光学元件组成。其优点是结构相对简单，易于加工与装校，局部杂散光较少。为了实现更大的数值孔径，近年来设计者普遍采用折反式设计方案。折反式投影物镜由透镜和反射镜组成。光刻机已经成为较好性能、高对准精度和精密曝光光学系统的代名词。光刻机：采用1：1方式复印掩膜版上的图形，这类光刻机结构简单，价格便宜。
光刻机分为无掩模光刻机和有掩模光刻机。（1）无掩模光刻机可分为电子束直写光刻机、离子束直写光刻机、激光直写光刻机。电子束直写光刻机可以用于高分辨率掩模版以及集成电路原型验证芯片等的制造，激光直写光刻机一般是用于小批量特定芯片的制造。（2）有掩模光刻机分为接触/接近式光刻机和投影式光刻机。接触式光刻和接近式光刻机出现的时期较早，投影光刻机技术更加先进，图形比例不需要为1:1，减低了掩膜板制作成本，目前在先进制程中普遍使用。随着曝光光源的改进，光刻机工艺技术节点不断缩小。光刻设备从光源（从较初的g-Line，i-Line发展到EUV）、曝光方式（从接触式到步进式，从干式投影到浸没式投影）不断进行着改进。光刻机的曝光：提高整个硅片的尺寸均匀性。上海X光光刻机报价
光刻机：电子束光刻采用直接写的技术，在掩膜版的制备过程中占主要地位。上海X光光刻机报价
光刻机的种类：接近式曝光（ProximityPrinting）:掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙（Gap），Gap大约为0～200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用；掩模寿命长（可提高10倍以上），图形缺陷少。接近式在现代光刻工艺中应用为普遍。投影式曝光（ProjectionPrinting）:在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。上海X光光刻机报价
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