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上海激光光刻机生产厂家 值得信赖 上海百雅信息科技供应

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所在地: 上海市
***更新: 2021-01-30 00:23:52
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产品详细说明

光刻的原理和过程一般是这样的:首先制备出芯片电路图的掩膜版,然后在硅片上旋涂上光刻胶,利用紫外光源通过掩膜版照射到光刻胶上。经过对准曝光后,紫外光照射到区域的光刻胶会因为化学效应而发生变性,再通过显影作用将曝光的光刻胶去除,下一步采用干法刻蚀将芯片电路图传递到硅晶圆上。光刻工艺直接决定了芯片中晶体管的尺寸和性能,是芯片生产中较为关键的过程。光刻机中的曝光光源决定了光刻工艺加工器件的线宽等特征尺寸,当前市场主流采用深紫外(DUV,上海激光光刻机生产厂家,上海激光光刻机生产厂家,193nm)光源,较先进的是采用极紫外(EUV,13,上海激光光刻机生产厂家.5nm)光源的的EUV光刻机。现代光刻工艺一般包含硅晶圆的清洗烘干,光刻胶的旋涂烤胶,对准曝光,显影,刻蚀以及检测等多重工序。由于现代芯片的复杂性,生产过程往往需要经过几十次的光刻,耗时占据了芯片生产环节的一半,光刻成本也达到了生产成本的三分之一。光刻机:目前占光刻技术主导地位的仍然是紫外光刻。上海激光光刻机生产厂家

光刻机的主要性能指标有:1.支持基片的尺寸范围。2.分辨率是对光刻工艺加工可以达到的较细线条精度的一种描述方式。3.对准精度。4.曝光方式:曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。5.光源波长:曝光光源波长为紫外、深紫外和极紫外区域,光源有汞灯,准分子激光器等。6.光强均匀性。7.生产效率。一般来说可以分为三种操作方式:A手动:指的是通过手调旋钮改变它的X轴,Y轴和thita角度来完成对准,对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。B半自动:指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位。C自动:指的是通过程序控制,自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。上海X光光刻机厂家电话光刻机的技术原理:接触/接近式光刻。

光刻机的种类:接近式曝光(ProximityPrinting):掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙(Gap),Gap大约为0~200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤,使掩膜和光刻胶基底能耐久使用;掩模寿命长(可提高10倍以上),图形缺陷少。接近式在现代光刻工艺中应用为普遍。投影式曝光(ProjectionPrinting):在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点:提高了分辨率;掩膜板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影响减小。

目前光刻机主要可以分为IC前道制造光刻机(市场主流)、IC后道先进封装光刻机、LED/MEMS/PowerDevices制造用光刻机以及面板光刻机。其中IC前道光刻机需求量和价值量都较高,但是技术难度较大。而封装光刻机对于光刻的精度要求低于前道光刻要求,面板光刻机主要用在薄膜晶体管制造中,与IC前道光刻机相比技术难度更低。IC前道光刻机技术较为复杂,光刻工艺是IC制造的中心环节也是占用时间比较大的步骤,光刻机是目前晶圆制造产线中成本较高的半导体设备。光刻设备约占晶圆生产线设备成本27%,光刻工艺占芯片制造时间40%-50%。高精度EUV光刻机的使用将使die和wafer的成本进一步减小,但是设备本身成本也会增长。光刻机:成形电子束目前小分辨率一般大于100nm,圆形电子束的高分辨率可达几个纳米。

光刻机的工作原理:1、清洗玻璃并烘干,首先准备一块玻璃,玻璃的大小可以根据需要裁减,然后将玻璃清洗干净烘干,备用。2、在玻璃上涂覆光刻胶,光刻胶有正性和负性之分。3、干燥,采用固化干燥机让玻璃挥发液体成分,干燥的目的是为了玻璃进一步加工的需要。4、曝光,曝光的方式有很多种,比如激光直写、通过掩模板同时曝光等都可以。5、去胶,去胶的方法也很多,比如放在刻蚀剂中,用正性胶的话,被光照到的地方就会被溶解,没有光照到的地方光刻胶保留下来,到这里就已经在光刻胶上刻蚀出了所需图形。6、清洗,去胶结束后,对玻璃进行清洗。7、转移,转移的方法也有很多,可以采取离子束轰击,光刻胶和玻璃同时被轰击等等,光刻胶被轰击完后,暴露出来的玻璃也被轰击,就把光刻胶上的图形转移到玻璃上。这样就完成了。光刻机:目前涂胶的主要方法有:甩胶、喷胶和气相沉积,但应用普遍的还是甩胶。上海激光光刻机生产厂家

光刻机:X射线穿透力很强,目前多数的光学系统不能对它进行反射或折射,因此多采用接近式曝光。上海激光光刻机生产厂家

光刻机分为无掩模光刻机和有掩模光刻机。(1)无掩模光刻机可分为电子束直写光刻机、离子束直写光刻机、激光直写光刻机。电子束直写光刻机可以用于高分辨率掩模版以及集成电路原型验证芯片等的制造,激光直写光刻机一般是用于小批量特定芯片的制造。(2)有掩模光刻机分为接触/接近式光刻机和投影式光刻机。接触式光刻和接近式光刻机出现的时期较早,投影光刻机技术更加先进,图形比例不需要为1:1,减低了掩膜板制作成本,目前在先进制程中普遍使用。随着曝光光源的改进,光刻机工艺技术节点不断缩小。光刻设备从光源(从较初的g-Line,i-Line发展到EUV)、曝光方式(从接触式到步进式,从干式投影到浸没式投影)不断进行着改进。上海激光光刻机生产厂家

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